반응형 반도체 제조공정2 TSV(Through-Silicon Via) 구조와 원리 – 반도체 3D 패키징의 핵심 기술 1. 서론 – TSV의 필요성반도체의 집적도와 성능 향상은 공정 미세화와 함께 패키징 기술의 혁신에 의해 가능해졌습니다. 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 방식은 I/O 밀도와 신호 전송 속도에 한계가 있으며, 플립칩(Flip-Chip) 역시 범프 높이와 패키지 두께, 전기적 특성에서 제한이 있습니다. 이를 극복하기 위해 등장한 기술이 TSV(Through-Silicon Via) 입니다. TSV는 실리콘 기판을 관통하는 수직 금속 배선 구조를 통해 다이와 다이를 직접 연결하여 초고속·고밀도·저전력 패키징을 구현합니다.2. TSV 구조TSV는 실리콘 웨이퍼를 관통하는 미세한 구멍에 절연층과 금속을 채워 만든 수직 전기 경로입니다.기본 구성 요소는 다음과 같습니다.실리콘 기판 (Substrate) .. 2025. 8. 5. 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술이란? – 차세대 반도체 패키징 혁신 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술이란? – 차세대 반도체 패키징 혁신핵심 요약:하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)은 기존 플립칩(Flip-Chip) 방식의 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 패키징 기술로, 솔더 범프 없이 금속 패드와 절연체를 동시에 직접 결합하는 방식입니다. HBM(High Bandwidth Memory), 3D NAND, 고성능 로직 패키징 등 초고밀도·저전력 반도체 설계에서 핵심적인 역할을 하고 있습니다.1. 개요하이브리드 본딩은 웨이퍼-웨이퍼(W2W) 또는 다이-웨이퍼(D2W) 접합 과정에서 금속-금속과 절연체-절연체 결합을 동시에 구현하는 기술입니다. 전통적인 플립칩은 솔더 범프(Solder Bump)를 이용해 전기적 연결을 하였으나, 범프 크기와 피치.. 2025. 8. 3. 이전 1 다음 반응형
