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산업·기술 자료/기타 산업기술 자료28

가스기능사 시험 직전 암기 카드 D-8 가스기능사 필기 암기 카드 20개 총정리 법규·안전관리, 장치·기기, 가스 일반, 연소 공학까지 점수 효율이 높은 핵심만 압축 목표 60점 합격선. 60문항 중 36문제 이상 정답. 전략 계산문제 최소화, 암기 파트 집중(법규, 폭발범위·비중·발화점, 안전장치). 1과목 가스 안전관리 1. 사고 원인 3대취급 부주의 / 시설 불량 / 제품 결함 2. 누출 시 조치점화원 차단 → 환기 → 밸브 차단 → 신고 3. 용기 보관세워서 보관, 직사광선 금지, 환기 양호 4. 이격거리산소 용기 ↔ 가연성 가스 용기 3 m 이상 5. 용기 색상황색=.. 2025. 9. 13.
내가 보려고 정리한 가스기능사 3과목 가스 일반 3과목 가스 일반 – 핵심 개념1. 기체의 기본 성질보일의 법칙 (P₁V₁ = P₂V₂) → 온도 일정샤를의 법칙 (V₁/T₁ = V₂/T₂) → 압력 일정이상기체 상태방정식: PV = nRT단위 환산1 atm = 760 mmHg = 1.033 kgf/cm² ≈ 101.3 kPa0℃, 1atm에서 기체 1몰 = 22.4 L2. 주요 가스 특성 (비중·발열량·폭발범위)LNG(메탄, CH₄)비중: 0.6 (공기보다 가벼움 → 위로 확산)발열량: 약 8,600 kcal/Nm³폭발범위: 5~15%발화점: 약 650℃LPG (프로판·부탄)프로판(C₃H₈): 비중 1.5, 발열량 22,000 kcal/Nm³, 폭발범위 2~10%부탄(C₄H₁₀): 비중 2.0, 발열량 28,000 kcal/Nm³, 폭발범위 1.9~.. 2025. 8. 29.
내가 보려고 정리한 가스기능사 2과목 가스 장치 및 기기 2과목 가스 장치 및 기기 – 핵심 개념1. 가스 용기(Cylinder)재질: 주로 강재 (탄소강, 합금강) → 고압가스 충전용보관 기준: 세워서, 직사광선 피하고, 환기되는 곳에검사 표시: 제조번호, 충전압력, 검사연월 표기색상 규정황색: 가연성가스청색: 산소녹색: 불활성가스2. 압력조정기(레귤레이터)기능: 고압가스를 사용 압력(저압)으로 낮춰 일정하게 공급종류1단식: 1회 조정2단식: 두 단계로 압력 안정화 (정밀 작업에 사용)역할: 압력 변동 방지, 안전한 가스 사용 보장3. 밸브류안전밸브: 압력이 일정값 이상 → 자동 개방파열판: 압력이 일정 이상 → 판이 터지면서 압력 해소 (일회용)역지밸브(체크밸브): 유체가 역류하지 않게 함긴급차단밸브(ESD): 사고 시 자동 차단4. 배관재질: 가스 종류·.. 2025. 8. 29.
내가 보려고 정리한 가스기능사 1과목 가스 안전 관리 가스 안전 관리 – 종합 핵심 정리1. 가스 사고주요 원인 3대 요소취급 부주의 (최다 발생 원인)시설 불량 (배관, 용기, 밸브 불량)제품 결함 (조정기, 기기 자체 결함)사고 형태: 폭발, 화재, 중독, 질식가장 위험한 불완전연소 부산물: CO (일산화탄소)2. 가스 누출 시 조치점화원 차단 (불꽃·전기 스위치 NO)환기 (창문 열기, 팬 사용 금지)긴급 차단 밸브 잠그기관계기관 신고3. 저장·취급 기준가스 용기: 직사광선 피하고, 환기 잘되는 곳에, 반드시 세워서 보관산소 용기 ↔ 가연성 가스(LPG, 수소) 용기: 3m 이상 이격액화가스 저장탱크: 주변과 이격거리 법규상 규정 있음충전 용기: 완전히 비우지 않고 잔가스 일정량 유지4. 안전 장치안전밸브: 설정 압력 초과 시 자동 개방파열판: 일정 .. 2025. 8. 29.
TSV(Through-Silicon Via) 구조와 원리 – 반도체 3D 패키징의 핵심 기술 1. 서론 – TSV의 필요성반도체의 집적도와 성능 향상은 공정 미세화와 함께 패키징 기술의 혁신에 의해 가능해졌습니다. 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 방식은 I/O 밀도와 신호 전송 속도에 한계가 있으며, 플립칩(Flip-Chip) 역시 범프 높이와 패키지 두께, 전기적 특성에서 제한이 있습니다. 이를 극복하기 위해 등장한 기술이 TSV(Through-Silicon Via) 입니다. TSV는 실리콘 기판을 관통하는 수직 금속 배선 구조를 통해 다이와 다이를 직접 연결하여 초고속·고밀도·저전력 패키징을 구현합니다.2. TSV 구조TSV는 실리콘 웨이퍼를 관통하는 미세한 구멍에 절연층과 금속을 채워 만든 수직 전기 경로입니다.기본 구성 요소는 다음과 같습니다.실리콘 기판 (Substrate) .. 2025. 8. 5.
하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술이란? – 차세대 반도체 패키징 혁신 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술이란? – 차세대 반도체 패키징 혁신핵심 요약:하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)은 기존 플립칩(Flip-Chip) 방식의 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 패키징 기술로, 솔더 범프 없이 금속 패드와 절연체를 동시에 직접 결합하는 방식입니다. HBM(High Bandwidth Memory), 3D NAND, 고성능 로직 패키징 등 초고밀도·저전력 반도체 설계에서 핵심적인 역할을 하고 있습니다.1. 개요하이브리드 본딩은 웨이퍼-웨이퍼(W2W) 또는 다이-웨이퍼(D2W) 접합 과정에서 금속-금속과 절연체-절연체 결합을 동시에 구현하는 기술입니다. 전통적인 플립칩은 솔더 범프(Solder Bump)를 이용해 전기적 연결을 하였으나, 범프 크기와 피치.. 2025. 8. 3.
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