반응형 전해도금1 TSV(Through-Silicon Via) 구조와 원리 – 반도체 3D 패키징의 핵심 기술 1. 서론 – TSV의 필요성반도체의 집적도와 성능 향상은 공정 미세화와 함께 패키징 기술의 혁신에 의해 가능해졌습니다. 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 방식은 I/O 밀도와 신호 전송 속도에 한계가 있으며, 플립칩(Flip-Chip) 역시 범프 높이와 패키지 두께, 전기적 특성에서 제한이 있습니다. 이를 극복하기 위해 등장한 기술이 TSV(Through-Silicon Via) 입니다. TSV는 실리콘 기판을 관통하는 수직 금속 배선 구조를 통해 다이와 다이를 직접 연결하여 초고속·고밀도·저전력 패키징을 구현합니다.2. TSV 구조TSV는 실리콘 웨이퍼를 관통하는 미세한 구멍에 절연층과 금속을 채워 만든 수직 전기 경로입니다.기본 구성 요소는 다음과 같습니다.실리콘 기판 (Substrate) .. 2025. 8. 5. 이전 1 다음 반응형
